机译:外延提离过程中包围AIAs释放层的InxGa1-xAs和GaAs1-yPy层的影响
机译:HF解决方案中蚀刻过程中GaAs上的砷形成:与外延剥离工艺的相关性
机译:外延剥离工艺的固有横向蚀刻速率的多层剥离层研究
机译:多层释放研究的Ⅲ/Ⅴ表皮上升
机译:香港水域浅水区与深水区底部水层中溶解氧的动态变化和底层营养的释放。
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:HF溶液中蚀刻过程中Gaas上的砷形成:外延剥离过程的相关性